Trong công nghệ điện tử và bán dẫn, ưu điểm chính của SiC là:
Độ dẫn nhiệt cao 120-270 W/mK
Hệ số giãn nở nhiệt thấp 4,0x10^-6/ độ
Mật độ dòng điện tối đa cao
Sự kết hợp của ba đặc điểm này mang lại cho SiC tính dẫn điện vượt trội, đặc biệt là so với silicon, người anh em phổ biến hơn của SiC. Các đặc tính của vật liệu SiC làm cho nó rất thuận lợi cho các ứng dụng năng lượng cao, nơi cần dòng điện cao, nhiệt độ cao và độ dẫn nhiệt cao.
Trong những năm gần đây, SiC đã trở thành nhân tố chủ chốt trong ngành công nghiệp bán dẫn, cung cấp năng lượng cho MOSFET, điốt Schottky và mô-đun nguồn để sử dụng trong các ứng dụng công suất cao, hiệu suất cao. Mặc dù chúng đắt hơn MOSFET silicon, thường bị giới hạn ở điện áp đánh thủng 900 V, nhưng SiC có thể đạt được điện áp ngưỡng gần 10 kV.
SiC cũng có tổn thất chuyển mạch rất thấp và có thể hỗ trợ tần số hoạt động cao, cho phép nó đạt được hiệu suất chưa từng có hiện nay, đặc biệt là trong các ứng dụng hoạt động ở điện áp lớn hơn 600 volt. Khi được sử dụng đúng cách, các thiết bị SiC-có thể giảm gần 50% tổn thất của bộ chuyển đổi và hệ thống biến tần, kích thước - xuống 300% và chi phí tổng thể của hệ thống - là 20%. Việc giảm kích thước hệ thống tổng thể này làm cho SiC cực kỳ hữu ích trong các ứng dụng nhạy cảm về trọng lượng và không gian.