Do -tiếp xúc với nước hoặc độ ẩm không khí cao trong quá trình bảo quản, cũng như hàm lượng tạp chất nhôm, canxi và phốt pho cao trong ferrosilicon, sau một thời gian sẽ xảy ra hiện tượng gọi là "lột xác". Điều này đi kèm với việc giải phóng khí độc phosphine (PH3) và hydro (ASH3), và trong trường hợp nghiêm trọng thậm chí có thể gây cháy.
Hàm lượng nhôm, phốt pho và canxi trong ferrosilicon không đúng có thể góp phần làm bong tróc ferrosilicon. Với sự gia tăng đồng thời hàm lượng nhôm và phốt pho đến một giá trị nhất định, loại ferrosilicon này dễ bị bong ra trong không khí ẩm. Một số nguồn chỉ ra rằng ferrosilicon chứa ít hơn 0,04% phốt pho và ít hơn 3% nhôm sẽ không bị bong tróc.
Ban đầu người ta tin rằng ferrosilicon có hàm lượng silicon thấp sẽ dễ bị bong ra hơn. Điều này có thể là do sự giãn nở thể tích phụ thuộc vào nhiệt độ của các hợp chất silicon và sắt, chẳng hạn như FeSi và FeSi2 trong ferrosilicon, dẫn đến sự phún xạ của nó. Ferrosilicon chứa nhôm tạo thành nhôm hydroxit và khí khi tiếp xúc với nước, đây là lý do chính gây ra hiện tượng nguyên tử hóa ferrosilicon.
Tốc độ làm nguội sau khi rót cũng ảnh hưởng đến mức độ nghiền ferrosilicon. Nếu tốc độ làm nguội nhanh thì sự phân tách silicon nhỏ và khó có thể nghiền thành bột; nếu tốc độ làm nguội chậm thì khả năng phân tách silicon cao và có khả năng bị nghiền thành bột. Tương tự, nếu độ dày của phôi ferrosilicon lớn thì quá trình nghiền thành bột có thể xảy ra, còn nếu độ dày nhỏ thì quá trình nghiền thành bột khó xảy ra.
Để ngăn chặn quá trình nghiền nát ferrosilicon, bạn cần chú ý đến ba điểm sau:
1. Độ dày của phôi ferrosilicon không được quá lớn để làm giảm sự phân tách silicon trong ferrosilicon.
2. Kiểm soát chặt chẽ hàm lượng silicon trong ferrosilicon và không để hàm lượng này xuống quá thấp. Kiểm soát hàm lượng nhôm, phốt pho và canxi của ferrosilicon bằng cách sử dụng nguyên liệu tốt nhất, đặc biệt không sử dụng than cốc có độ tro cao làm giảm hàm lượng nhôm và phốt pho, đồng thời hạn chế tối đa việc bổ sung vôi trong quá trình nấu chảy để làm giảm hàm lượng canxi trong ferrosilicon.